Diode BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Anzahl der Terminals: 3. Cj: 2pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 715mV. Funktion: Schaltdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A6s, A6t. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6s. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 1uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Trr-Diode (Min.): 6 ns. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01