Diode 893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AP. VRRM: 50V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Funktion: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RG2A. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 1uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Spec info: IFMS 50Ap. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Originalprodukt vom Hersteller: General Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:14