Diode 6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V

Diode 6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V

Menge
Stückpreis
1-4
0.41€
5-24
0.35€
25-49
0.30€
50-99
0.26€
100+
0.21€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 159

Diode 6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 250A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Cj: 60pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A10. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 10uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Trr-Diode (Min.): 2500 ns. Äquivalente: 6A100G-R0G. Originalprodukt vom Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:01

Technische Dokumentation (PDF)
6A100G-R0G
22 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
6A
IFSM
250A
Gehäuse
R-6
Gehäuse (laut Datenblatt)
R-6 ( 9.1x7.2mm )
VRRM
1000V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Cj
60pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1V
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
6A10
MRT (maximal)
100uA
MRT (min)
10uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1V
Spec info
IFSM--250Ap (t=8.3ms)
Trr-Diode (Min.)
2500 ns
Äquivalente
6A100G-R0G
Originalprodukt vom Hersteller
Yangzhou Yangjie Electronic

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