Diode 30BQ100, 3A, 800 A (TP = 5us), 70 A (TP = 10 ms), DO-214, SMC (8,1 x 6,2 x 2,6 mm), 100V

Diode 30BQ100, 3A, 800 A (TP = 5us), 70 A (TP = 10 ms), DO-214, SMC (8,1 x 6,2 x 2,6 mm), 100V

Menge
Stückpreis
1-4
0.42€
5-49
0.36€
50-99
0.31€
100-199
0.27€
200+
0.22€
Menge auf Lager: 3490

Diode 30BQ100, 3A, 800 A (TP = 5us), 70 A (TP = 10 ms), DO-214, SMC (8,1 x 6,2 x 2,6 mm), 100V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 800 A (TP = 5us), 70 A (TP = 10 ms). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC (8,1 x 6,2 x 2,6 mm). VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Cj: 115pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 0.62V. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3J. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 0,96 V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:18

Technische Dokumentation (PDF)
30BQ100
19 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
3A
IFSM
800 A (TP = 5us), 70 A (TP = 10 ms)
Gehäuse
DO-214
Gehäuse (laut Datenblatt)
SMC (8,1 x 6,2 x 2,6 mm)
VRRM
100V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
Cj
115pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
0.62V
Halbleitermaterial
Sb
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
3J
MRT (maximal)
5mA
MRT (min)
0.5mA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
0,96 V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay