Diode 1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V
Menge
Stückpreis
10-49
0.0620€
50-99
0.0524€
100-199
0.0459€
200+
0.0393€
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Diode 1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Achsabstand 15mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Trr-Diode (Min.): 5us. Originalprodukt vom Hersteller: Dc Components Co. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:24
1N5406H
22 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
3A
IFSM
200A
Gehäuse
DO-27
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-27 ( 9.2x5.2mm )
VRRM
600V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Cj
40pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.1V
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Achsabstand 15mm
MRT (maximal)
500uA
MRT (min)
5uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.1V
Spec info
IFSM--200Ap t=8.3ms
Trr-Diode (Min.)
5us
Originalprodukt vom Hersteller
Dc Components Co
Mindestmenge
10