Diode 1N5402, DO-27, 200V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm )

Diode 1N5402, DO-27, 200V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm )

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Diode 1N5402, DO-27, 200V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Gehäuse: DO-27. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 3A. IFSM: 200A. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1.2V / 3A. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Hinweis: GI. Ifsm [A]: 200A. Information: -. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.1V. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. MSL: -. Max Rückspannung: 200V. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 200A. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: <5uA / 200V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: -. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 200V. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Schwellenspannung: 1.2V, 1.1V. Serie: 1N54. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Strom fahren: 3A. Trr-Diode (Min.): 5us. [V]: 1.2V @ 3A. Originalprodukt vom Hersteller: Dc Components Co. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:24

Technische Dokumentation (PDF)
1N5402
46 Parameter
Gehäuse
DO-27
VRRM
200V
Vorwärtsstrom (AV)
3A
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
3A
IFSM
200A
Vorwärtsstrom [A]
3A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-27 ( 9.2x5.2mm )
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Cj
40pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.2V / 3A
Durchlassspannung Vf (min)
1.1V
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Hinweis
GI
Ifsm [A]
200A
Komponentenfamilie
Standard-Gleichrichterdiode
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
10uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.1V
MRT (maximal)
500uA
MRT (min)
5uA
Max Rückspannung
200V
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pulsstrom max.
200A
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
1500ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
<5uA / 200V
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
200V
Schwellenspannung Vf (max)
1.1V
Schwellenspannung
1.2V, 1.1V
Serie
1N54
Spec info
IFSM--200Ap t=8.3ms
Strom fahren
3A
Trr-Diode (Min.)
5us
[V]
1.2V @ 3A
Originalprodukt vom Hersteller
Dc Components Co
Mindestmenge
10

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für 1N5402