DB102G, 1A, 100V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Dreiphasig: 0. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Gehäuse: DIP. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Menge pro Karton: 4. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap. Teilung: 5.08mm. Originalprodukt vom Hersteller: Kingtronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:33