BZV55C33, 12.7k Ohms, SOD80C, 33V, 0.5W, 0.5W, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 33V
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BZV55C33, 12.7k Ohms, SOD80C, 33V, 0.5W, 0.5W, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 33V. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 33V. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 33V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Zenerdiode. Funktion: Zenerdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Hinweis: SI-Z SMD. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 24V. Leistung: 0.5W. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Temperatur: +175°C. Toleranz: 5%. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:14