BUZ77B

BUZ77B. C(in): 460pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 350 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.