BST82

BST82. C(in): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr schnelles Umschalten. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor . Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Logic Level kompatibel. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 07:25.