Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25€ | 1.49€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.42€ |
10 - 24 | 1.13€ | 1.34€ |
25 - 49 | 1.06€ | 1.26€ |
50 - 99 | 1.04€ | 1.24€ |
100 - 249 | 1.00€ | 1.19€ |
250 - 2953 | 0.91€ | 1.08€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.25€ | 1.49€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.42€ |
10 - 24 | 1.13€ | 1.34€ |
25 - 49 | 1.06€ | 1.26€ |
50 - 99 | 1.04€ | 1.24€ |
100 - 249 | 1.00€ | 1.19€ |
250 - 2953 | 0.91€ | 1.08€ |
BS250P. C(in): 60pF. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 3A. ID (T=25°C): 0.23A. IDSS (max): 500nA. IDss (min): -0.23A. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Einschaltwiderstand Rds On: 14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 45V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.
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