Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25€ | 1.49€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.42€ |
10 - 24 | 1.15€ | 1.37€ |
25 - 49 | 1.13€ | 1.34€ |
50 - 99 | 1.10€ | 1.31€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.25€ |
250 - 2926 | 0.97€ | 1.15€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.25€ | 1.49€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.42€ |
10 - 24 | 1.15€ | 1.37€ |
25 - 49 | 1.13€ | 1.34€ |
50 - 99 | 1.10€ | 1.31€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.25€ |
250 - 2926 | 0.97€ | 1.15€ |
P-Kanal-Transistor, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V - BS250P. P-Kanal-Transistor, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. ID (T=25°C): 0.23A. IDSS (max): 500nA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 45V. C(in): 60pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 3A. IDss (min): -0.23A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Einschaltwiderstand Rds On: 14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller Diodes Incorporated. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 19:25.
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