Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BR152

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BR152. VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. Hinweis: Durchmesser 10 mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Originalprodukt vom Hersteller Dc Components Co.. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.

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VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Hinweis: Durchmesser 10 mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.6x5.6mm. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Hinweis: Durchmesser 10 mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.6x5.6mm. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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2W06M

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VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Hal...
2W06M
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 2 AMPS. IFSM: 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2W06. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.6x5.6mm. Abmessungen: 10mm Durchmesser. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 2 AMPS. IFSM: 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2W06. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.6x5.6mm. Abmessungen: 10mm Durchmesser. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Hinweis: Durchmesser 10 mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.6x5.6mm. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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