NPN-Transistor, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V - BFR93A

NPN-Transistor, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V - BFR93A. NPN-Transistor, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrom: 35mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Spec info: SMD R2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 15V. Vebo: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 17:25.