NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V - BD646

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V - BD646. NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 1500. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 62.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 17:25.