BD245C-PMC
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.95€ | 2.32€ |
| 5 - 9 | 1.85€ | 2.20€ |
| 10 - 24 | 1.76€ | 2.09€ |
| 25 - 49 | 1.66€ | 1.98€ |
| 50 - 54 | 1.62€ | 1.93€ |
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| 1 - 4 | 1.95€ | 2.32€ |
| 5 - 9 | 1.85€ | 2.20€ |
| 10 - 24 | 1.76€ | 2.09€ |
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BD245C-PMC. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD246C. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP34C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP34C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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