Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

BAT43

BAT43
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BAT43. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Schottky-Diode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): Sb. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 4A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.45V @ 15mA. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.5uA..100uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.46V. Durchlassspannung Vf (min): 0.26V. VRRM: 30 v. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. V...
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Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 7pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 0.5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.65V. Durchlassspannung Vf (min): 0.4V
BAT42
Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 7pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 0.5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.65V. Durchlassspannung Vf (min): 0.4V
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BAT85S

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Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. V...
BAT85S
Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BAT85S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Teilung: 1.6x3.9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV
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Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BAT85S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Teilung: 1.6x3.9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV
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