Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

B500C5000A

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B500C5000A. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: C5000/3300A, RS505. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 40x21.7x6.5mm. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 500V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 7A. IFSM: 150A. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 32x17x5.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Vrms: 500V
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Vorwärtsstrom (AV): 7A. IFSM: 150A. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 32x17x5.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Vrms: 500V
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Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: KBU6J, KBU606, RS605. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 23x19x6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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