APT8075BVRG

APT8075BVRG. C(in): 2600pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 260W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: schnelles Schalten, geringe Leckage. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 21:25.