AP9971GI

AP9971GI. C(in): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NO. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220CFM. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 21:25.