AOY2610E

AOY2610E. C(in): 1100pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AOY2610E. Pd (Verlustleistung, max): 59.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 20:25.