AOD9N50

AOD9N50. C(in): 962pF. Kosten): 98pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 332ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 178W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.71 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 20:25.