AO4710

AO4710. C(in): 1980pF. Kosten): 317pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 11.2 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. IDSS (max): 20mA. IDss (min): 0.02mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Menge pro Karton: 1. Funktion: FET in SMPS, Lastschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 20:25.