AO4427

AO4427. C(in): 2330pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 12.5A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 18:25.