Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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6N136M

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6N136M. Baudrate: 1 MBit/s. CTR: 19...50 %. Diode IF: 25mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.45V. Kollektorstrom: 8mA. Ic(Impuls): 16mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VECO: 30 v. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.

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6N136

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Baudrate: 1 MBit/s. CTR: 19...50 %. Diode IF: 25mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diodenleistung:...
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Baudrate: 1 MBit/s. CTR: 19...24 %. Diode IF: 25mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diodenleistung:...
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Baudrate: 1 MBit/s. CTR: 19...24 %. Diode IF: 25mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diodenleistung: 45mW. Diodenschwellenspannung: 1.45V. Kollektorstrom: 8mA. Ic(Impuls): 16mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s
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