Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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6N136-F

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6N136-F. Baudrate: 1 MBit/s. CTR: 19...24 %. Diode IF: 25mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diodenleistung: 45mW. Diodenschwellenspannung: 1.45V. Kollektorstrom: 8mA. Ic(Impuls): 16mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Spec info: High speed, 1MBit/s. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 09:25.

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