Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK3667

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2SK3667. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3667. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

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C(in): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
STP9NK60ZFP
C(in): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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