Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2043

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2SK2043. C(in): 400pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2043. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.

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C(in): 750pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 20uA. IDss (min): 2uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS
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