2SK1461

2SK1461. C(in): 700pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1461. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3BP. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.