Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.83€ | 2.18€ |
5 - 9 | 1.74€ | 2.07€ |
10 - 24 | 1.65€ | 1.96€ |
25 - 49 | 1.56€ | 1.86€ |
50 - 99 | 1.52€ | 1.81€ |
100 - 101 | 1.48€ | 1.76€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.83€ | 2.18€ |
5 - 9 | 1.74€ | 2.07€ |
10 - 24 | 1.65€ | 1.96€ |
25 - 49 | 1.56€ | 1.86€ |
50 - 99 | 1.52€ | 1.81€ |
100 - 101 | 1.48€ | 1.76€ |
2SJ584. C(in): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.
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