Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

2SJ512

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Set mit 1

2SJ512. C(in): 800pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 205 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance“. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.

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