Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.53€ | 3.01€ |
5 - 9 | 2.41€ | 2.87€ |
10 - 17 | 2.28€ | 2.71€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.53€ | 3.01€ |
5 - 9 | 2.41€ | 2.87€ |
10 - 17 | 2.28€ | 2.71€ |
2SJ512. C(in): 800pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 205 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance“. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.
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