Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.39€ | 2.84€ |
5 - 9 | 2.27€ | 2.70€ |
10 - 24 | 2.15€ | 2.56€ |
25 - 49 | 2.04€ | 2.43€ |
50 - 99 | 1.99€ | 2.37€ |
100 - 249 | 1.94€ | 2.31€ |
250+ | 1.84€ | 2.19€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.39€ | 2.84€ |
5 - 9 | 2.27€ | 2.70€ |
10 - 24 | 2.15€ | 2.56€ |
25 - 49 | 2.04€ | 2.43€ |
50 - 99 | 1.99€ | 2.37€ |
100 - 249 | 1.94€ | 2.31€ |
250+ | 1.84€ | 2.19€ |
2SJ407. C(in): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS (F). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.
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