2SJ119

2SJ119. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3P. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J119. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1050pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.