2SD600K

2SD600K. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB631K. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.