NPN-Transistor, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SD600K

NPN-Transistor, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SD600K. NPN-Transistor, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB631K. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 22:25.