Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.90€ | 1.07€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.81€ | 0.96€ |
25 - 31 | 0.77€ | 0.92€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.90€ | 1.07€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.81€ | 0.96€ |
25 - 31 | 0.77€ | 0.92€ |
2SD401. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 10:25.
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