2SD2589

2SD2589. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: TO-220. Maximaler hFE-Gewinn: 12000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2589. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 110V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1659. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 20:25.