NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V - 2SC5198-TOS

NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V - 2SC5198-TOS. NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 170pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5198 O. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1941. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 19:25.