Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A
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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A. NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3886A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 13:25.

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2SC5386

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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 4.3. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res
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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 4.3. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res
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NPN-Transistor, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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