Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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2SC3886A. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3886A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 15:25.

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Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 4.3. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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