2SC3074-Y

2SC3074-Y. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Hochstromschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3074. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: für Schaltanwendungen. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.