Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 3.35€ | 3.99€ |
5 - 9 | 3.18€ | 3.78€ |
10 - 24 | 3.01€ | 3.58€ |
25 - 49 | 2.85€ | 3.39€ |
50 - 99 | 2.78€ | 3.31€ |
100 - 249 | 2.36€ | 2.81€ |
250 - 305 | 2.27€ | 2.70€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.35€ | 3.99€ |
5 - 9 | 3.18€ | 3.78€ |
10 - 24 | 3.01€ | 3.58€ |
25 - 49 | 2.85€ | 3.39€ |
50 - 99 | 2.78€ | 3.31€ |
100 - 249 | 2.36€ | 2.81€ |
250 - 305 | 2.27€ | 2.70€ |
2SC2713-GR. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DG. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 300mV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code DG. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1163. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.
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