2SA1358Y

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	1.54€	1.83€
5 - 9	1.46€	1.74€
10 - 24	1.39€	1.65€
25 - 49	1.31€	1.56€
50 - 69	1.18€	1.40€

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Set mit 1

2SA1358Y. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F (2-8A1H). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3421Y. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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