2SA1213Y

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 9	0.62€	0.74€
10 - 24	0.59€	0.70€
25 - 49	0.56€	0.67€
50 - 71	0.53€	0.63€

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Set mit 1

2SA1213Y. Kosten): 40pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NY. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-5K1A. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck / SMD-Code NY. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.

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