Menge (Set mit 10) | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 1.41€ | 1.68€ |
2 - 2 | 1.34€ | 1.59€ |
3 - 4 | 1.27€ | 1.51€ |
5 - 9 | 1.20€ | 1.43€ |
10 - 24 | 1.13€ | 1.34€ |
25 - 49 | 0.95€ | 1.13€ |
50 - 917 | 0.88€ | 1.05€ |
Menge (Set mit 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.41€ | 1.68€ |
2 - 2 | 1.34€ | 1.59€ |
3 - 4 | 1.27€ | 1.51€ |
5 - 9 | 1.20€ | 1.43€ |
10 - 24 | 1.13€ | 1.34€ |
25 - 49 | 0.95€ | 1.13€ |
50 - 917 | 0.88€ | 1.05€ |
2SA1015Y. Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 0.15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1015 Y. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+125°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC1815Y. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.
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