Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 1 | 17.37€ | 20.67€ |
2 - 2 | 16.50€ | 19.64€ |
3 - 4 | 15.63€ | 18.60€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 17.37€ | 20.67€ |
2 - 2 | 16.50€ | 19.64€ |
3 - 4 | 15.63€ | 18.60€ |
2N6468. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-66. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-66. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 130V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.
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