Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.95€ | 1.13€ |
5 - 9 | 0.90€ | 1.07€ |
10 - 24 | 0.85€ | 1.01€ |
25 - 49 | 0.80€ | 0.95€ |
50 - 63 | 0.78€ | 0.93€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.95€ | 1.13€ |
5 - 9 | 0.90€ | 1.07€ |
10 - 24 | 0.85€ | 1.01€ |
25 - 49 | 0.80€ | 0.95€ |
50 - 63 | 0.78€ | 0.93€ |
2N5415. C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 4 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.
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