Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Rauscharmer HI-FI-Vorverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 4.5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 19:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC547B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC557B. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Planartransistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V
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NPN-Transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 40V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 8pF. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxial-Planar-Die-Konstruktion“. Tf(max): 75 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V
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