Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N4403

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2N4403. RoHS: ja. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 30pF. Kosten): 8.5pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo Pack. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.

Technische Dokumentation

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C(in): 30pF. Kosten): 8.5pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 0.6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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