2N3439

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Set mit 1

2N3439. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxialer planarer NPN-Transistor“. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. VCBO: 450V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 7V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.

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