Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.03€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.93€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.83€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.73€ |
50 - 93 | 1.66€ | 1.98€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.71€ | 2.03€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.93€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.83€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.73€ |
50 - 93 | 1.66€ | 1.98€ |
2N2369A. Widerstand B: ja. BE-Diode: NPN-Transistor. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-18. Kosten): TO-18. CE-Diode: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 500 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.2A. Ic(Impuls): 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+200°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 09:25.
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