1N5956B, 3W, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( 4.8x2.5mm ), 200V. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 4.8x2.5mm ). Zenerspannung: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: ESD-Bewertung der Klasse 3 (>16 kV) pro menschlichem Körpermodell. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: -. Konditionierungseinheit: 2000. MRT (maximal): 1uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Toleranz: 5%. VRRM: 200V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:14