1N5363B, DO-201, 5W, 30 v, DO-201, 30 v, 5W. Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Zenerspannung: 30 v. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Diodentyp: Zenerdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Impedanz: 8 Ohms. Information: -. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 22.8V. Leistung: 5W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Montage/Installation: THT. Montageart: THT. RoHS: ja. Rückspannung/Leckstrom: 22.8V / 0.5uA. Serie: 1N53. Toleranz: 5%. Verpackung: Ammo Pack. Zener Current IZ: 158mA. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 8 Ohms @ 40mA. Zenerspannung vz: 30V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:14